描述

碳基底上的錫球由于其近乎完美的圓形，對于SEM、FESEM、FIB散光校正非常有用。在SEM、FESEM或FIB不允許使用金的情況下，碳上的錫也被用來代替碳上的金，例如在半導體應用中。圓形錫球對于測試圖像質量、失真、對比度、亮度和探針尺寸特別有用。有低、中、高三種放大率的版本。

碳基底上的錫球，低放大倍數(shù)

尺寸范圍為 1 -10μm，適用于臺式 SEM 以及 SEM、FESEM 和 FIB 的低倍放大測試。放大范圍約為 250 x – 5000x。可選擇單標樣不帶樣品臺，或者提前安裝在不同的樣品臺上。?6.4 mmx 0.7 mm。

碳基底上的錫球，中等放大倍數(shù)

錫球分散在 ?6mm x 0.5mm 的碳圓片上，大部分尺寸在 10nm 到 100nm 之間。散光校正和分辨率測定的理想選擇。推薦用于不能容忍碳基底金顆粒的半導體行業(yè)中的 SEM、FESEM 和 FIB?？蛇x擇單標樣不帶樣品臺，或者提前安裝在不同的樣品臺上。

載網(wǎng)上的碳基底上的錫球，高放大倍數(shù)

錫球分散在碳基底表面，碳基低由 3 mm帶標簽的狹縫銅網(wǎng)(狹縫尺寸 0.4 x 2 mm)支撐,使用范圍約為 3 – 60 nm ?錫球很容易定位在縫的側面?相對較薄的載網(wǎng)使您的樣品和錫球標樣處于同一水平?可選擇單標樣不帶樣品臺，或者提前安裝在不同的樣品臺上。

碳基底上的錫球，放大范圍廣

錫球分散在?6.15mm x 2.2 mm的碳圓片上。<20 – 400nm 的近似尺寸范圍。適合散光矯正的球形。粒徑范圍廣，球體較大，在低電壓下更易于使用。推薦用于不能容忍碳基底金顆粒的半導體行業(yè)中的 SEM、FESEM 和 FIB?？蛇x擇單標樣不帶樣品臺，或者提前安裝在不同的樣品臺上。